图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 MCH3477 |
| 标准包装 | 3,000 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 20V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 4.5A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 38 mOhm @ 2A, 4.5V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | - |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 5.1nC @ 4.5V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 410pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 1W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | SC-70, SOT-323 |
| 供应商器件封装 | 3-MCPH |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 4.5A (Ta) |
| 封装/外壳 | SC-70, SOT-323 |
| 供应商设备封装 | 3-MCPH |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 38 mOhm @ 2A, 4.5V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 1W |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 20V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 410pF @ 10V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 5.1nC @ 4.5V |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 连续漏极电流 | 4.5 A |
| RDS（ON） | 38 mOhms |
| 功率耗散 | 1 W |
| 漏源击穿电压 | 20 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 高度 | 0.85mm |
| 晶体管材料 | Si |
| 类别 | 功率 MOSFET |
| 长度 | 2mm |
| 典型输入电容值@Vds | 410 pF @ 10 V |
| 通道模式 | 增强 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最大漏源电阻值 | 99 mΩ |
| 通道类型 | N |
| Board Level Components | Y |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大栅阈值电压 | 1.3V |
| 最大功率耗散 | 1 W |
| 最大栅源电压 | ±12 V |
| 宽度 | 1.6mm |
| 尺寸 | 2 x 1.6 x 0.85mm |
| 最大漏源电压 | 20 V |
| 典型接通延迟时间 | 7.5 ns |
| 典型关断延迟时间 | 38 ns |
| 封装类型 | MCHP |
| 最大连续漏极电流 | 4.5 A |
| 引脚数目 | 3 |
| 晶体管配置 | 单 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 5.1 nC @ 4.5 V |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V |
| 系列 | MCH3477 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| Id - Continuous Drain Current | 4.5 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 38 mOhms |
| Pd - Power Dissipation | 1 W |
| 技术 | Si |
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